半导体生产用超纯水设备

概述：半导体生产用超纯水对TOC、DO、SIO2、Particulate的控制严格，达到PP级，产水水质要求在18.2MΩ*cm（25℃）以上。

半导体生产用超纯水设备概述：
半导体生产用超纯水对TOC、DO、SIO2、Particulate的控制严格，达到PPb级，产水水质要求在18.2MΩ*cm（25℃）以上。

半导体生产用超纯水设备优点：

半导体芯片用水主要在于前端晶棒硅切片冷却用水，基板晶圆片检测清洗用水，中段晶圆片溅镀、曝光、电镀、光刻、腐蚀等工艺清洗，后段检测封装清洗。LED芯片主要是前段在MOCVD外延片生长用水，中段主要在曝光、显影、去光阻清洗用水，后段检测封装用水。同时，半导体行业对TOC的要求较高。

半导体生产用超纯水设备特点：
由于超纯水设备的工艺是根据不同的入水水质和出水要求而设计的，针对不同的原水水质特点而设计 超纯水设备方案才是经济有效的方案，同时也是出水水质长期稳定达到要求的保证。超纯水设备由于用途不一样，会有不同的制造流程，或有的把几种工艺结合起来让水质达到预期的效果，按类别可大至分为以下几种，比较常用的预处理系统，反渗透系统， EDI电除盐超纯水系统，精处理系统等。

半导体生产用超纯水设备工艺流程：
①反渗透纯水设备
RO反渗透膜的工作原理是对水施加一定的压力，使水分子和离子态的矿物质元素通过一层反渗透膜，而溶解在水中的绝大部分无机盐(包括重金属)、有机物以及细菌、病毒等无法透过反渗透膜，从而透过的纯水和无法透过的浓缩水严格的分开； 

反渗透膜上的孔径只有0.0001um，而病毒的直径一般有0.02-0.4um，普通细菌的直径有0.4-1um。 反渗透纯水机的正常工作有赖于一定的压力，这个压力大于渗透膜的渗透压，一般是2.8公斤/平方厘米。
 
在水压或水压不稳定的地区，我们建议您一定要购买有前段增压泵的反渗透纯水系统，它的工作压力可达0.3-0.6Mpa，不受自来水压限制，制水效率高,速度快、排浓缩水少。
 
反渗透有效的除盐，一级反渗透设备出水电阻率一般在0.05-0.5MΩ.CM.此纯水系统产水品质稳定，是目前比较通用的纯水生产设备，生产品质基本满足FPC/PCB生产需求。 

②EDI电除盐超纯水系统 
连续电除盐(EDI, Electro deionization或CDI, continuous electrode ionization)，是利用混和离子交换树脂吸附给水中的阴阳离子，同时这些被吸附的离子又在直流电压的作用下，分别透过阴阳离子交换膜而被除去的过程。 

这一过程离子交换树脂是电连续再生的，因此不需要使用酸和碱对之再生。 
这种新技术可以替代传统的离子交换装置，生产出高达18MΩ.CM的超纯水。整个工艺流程前面的部分和常规的水处理工艺没有很大区别，一般是先经过预处理，然后加药杀毒，再经过RO反渗透系统，再使用EDI设备制取超纯水。